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GLOSSAIRE des termes informatiques concernant les " modules mémoires "
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A , B , C , D , E , F , G , J , K , L , M , N , O , P , R , S , T , V .

A
ANSI : (American National Standards Institute) Organisme américain chargé de définir les normes applicables aux technologies de l'information.

ASCII : (American Standard Code for lflformation Interchange) -Méthode de codage des textes en valeurs binaires. Le système de codage ASCII comprend 256 combinaisons de nombres binaires de 7 ou 8 bits, représentant l'ensemble des frappes possibles sur un clavier.

Auto-rafraîchissement : Technologie des mémoires permettant aux RAM dynamiques de se régénérer indépendamment de la CPU ou des circuits de rafraîchissement externes. La technologie d'auto- rafraîchissement est intégrée dans la puce DRAM et a l'avantage de réduire sensiblement la consommation d'énergie. Les micro-ordinateurs portables ont recours à cette technologie.

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B
Banc de mémoire : Unité logique de mémoire dans un micro-ordinateur dont la taille est déterminée par la CPU. Par exemple, une CPU de 32 bits requiert des bancs de mémoire capables de fournir 32 bits d'information lors d'un cycle. Un banc se compose d'un ou plusieurs modules de mémoire.

Banc unique : Module qui n'est équipé que d'un banc ou d'une ligne.

Banc : Voir banc de mémoire.

Bande passante : Quantité de mémoire transportée sur une voie électronique (un bus par exemple) en une seconde. La bande passante est généralement mesurée en bits par seconde, octets par seconde ou cycles par seconde (Hertz).

Barette ou Barettes mémoires : Ce terme n'existe pas; voir barrette ou barettes mémoires.

Base Rambus : Première génération de mémoire Rambus, commercialisée en 1995.

BGA (Ball Grid Array -grille de billes) -Structure de billes de soudage, disposées sur la face inférieur d'une puce, pour le montage. La BGA permet de réduire la taille du boîtier, de mieux dissiper la chaleur et d'obtenir des densités de module supérieures.

Binaire : Système de numération utilisant des combinaisons de O et l pour représenter les données.
Egalement appelé Base 2.

BIOS : (Basic Input-Output System -système d'entré/sortie de base) -Programme activé au démarrage qui prépare l'ordinateur pour le fonctionnement ultérieur.

Bit : Plus petite unité d'information traitée par un ordinateur. Un bit peut prendre deux états: l et O.

Burst EDO RAM (BEDO) -Mémoire EDO capable de traiter quatre adresses mémoire dans le cadre d'une seule rafale. La vitesse du bus est comprise entre 50 MHz et 66 MHz (à comparer avec les valeurs de 33 MHz pour l'EDO et 25 MHz pour la mémoire Fast Page Mode).

Bus Chemin de données à l'intérieur d'un ordinateur, composé de plusieurs fils parallèles, auquel sont connectés la CPU, la mémoire et tous les dispositifs d'entrée/sortie.

Bus arrière (BSB -Backside Bus) -Chemin de données reliant la CPU et le cache L2.

Bus frontal (FSB -Frontside Bus) -Chemin de données qui relie la CPU et la mémoire principale (RAM) .

Bus local VESA (VL-Bus) -Bus local de 32 bits qui transmet les données à des vitesses atteignant 40 MHz.

Bus mémoire Bus qui relie la CPU aux connecteurs d'extension de la mémoire.

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C
Cache niveau I (L.l) -Également appelé cache primaire, le cache L1 est une mémoire de petite taille à vitesse d'accès élevée qui réside sur le processeur ou à proximité immédiate. Le cache Ll fournit au processeur les données et instructions les plus fréquemment demandées.

Cache niveau 2 (L2) -Egalement appelé cache secondaire, le cache L2, une mémoire de petite taille à vitesse d'accès élevée, se trouve généralement sur la carte mère à proximité de la CPU. Le cache L2 fournit au processeur les données les plus fréquemment demandées. En fonction de la carte mère, il peut bénéficier d'extensions.

Cache par rafales et pipeline : Ce cache réduit les temps d'attente et accélère les accès à la mémoire grâce à l'utilisation du procédé par rafales et pipeline.

Canal Rambus : Chemin de données des systèmes Rambus. La longueur des données étant courte (deux octets), les modules Rambus transfèrent les données à une vitesse atteignant 800 MHz.

Carte à circuit imprimé PCB (Printed Circuit Board) : Il s'agit généralement de cartes plates, multicouches en fibre de verre où sont intégrés des pistes électriques. La surface et les sous-couches sont équipées de pistes en cuivre qui assurent les connexions électriques des puces et autres composants. Parmi les cartes à circuit imprimé, on peut citer les cartes mères, les mémoires SIMM et celles des cartes de paiement.

Carte à Mémoire : Unité électronique de taille identique à une carte de paiement. Elle peut stocker des données et des programmes tout en augmentant la sécurité. Les applications englobent l'identification, le transfert de masse et les opérations bancaires.

Carte logique Voir carte mère.

Carte mère : Egalement appelée carte logique ou carte principale, la carte mère est l'âme du micro-ordinateur. Elle contient dans la plupart des cas la CPU, la mémoire et les entrées-sorties ou est équipée des connecteurs d'extension pour ces derniers.

Carte système : Voir carte mère.

CAS (Column Address Strobe) -Signal de puce mémoire qui convertit l'adresse de colonne d'un emplacement particulier en matrice rangée-colonne.

ccNUMA (Cache-Coherent, Non-uniform Memory Access) : Architecture flexible, utilisant des composantes modulaires, à faible coût, ainsi que d'autres moyens multidimensionnels de mise à l'échelle avec les serveurs haute capacité.

CI (Circuit intégré) : Circuit électronique sur une puce semiconducteur. Le circuit comprend des composants et des connecteurs. Une puce semiconducteur est généralement moulée dans un boîtier en plastique ou en céramique, doté de broches de connexion externes.

Code de correction d'erreur ECC (Error Correction Code) : Méthode de contrôle de l'intégrité des données dans une DRAM. L'ECC offre une détection plus sophistiquée que la parité; elle détecte les erreurs multiples sur les bits et elle localise et corrige les erreurs uniques sur les bits.

CompactFlash : Petit facteur de forme de faible poids pour les cartes de stockage amovibles. Les cartes CompactFlash sont durables, fonctionnent à une faible tension et conservent les données une fois mise hors tension. Elles sont utilisées dans les caméras numériques, les téléphones cellulaires, les imprimantes, les portables, les pagers et les systèmes d'enregistrement audio.

Composite : Terme utilisé par Apple Computer, Inc. pour désigner un module de mémoire d'une technologie ancienne, contenant un nombre plus élevé de puces à faible densité.

Concentrateur du contrôleur mémoire (MCH) : Interface entre le processeur, le port d'accès accéléré pour les graphiques AGP et la mémoire RDRAM sur les cartes mères équipées du chipset 820 ou 840.

Concentrateur du traducteur mémoire (MTH) : Interface permettant à la mémoire SDRAM d'être supportée par un canal direct RAMbus associé aux cartes mères dotées du chipset 820 d'Intel.

Concurrent Rambus : Seconde génération de la technologie Rambus. Concurrent Rambus équipe les ordinateurs graphiques, les téléviseurs numériques et les consoles de jeux vidéo (comme la Nintendo 64 depuis 1997).

Conditionnement Chip-Scale (CSP) : Conditionnement plat pour puce où les connexions électriques sont réalisées généralement via une grille de billes. Le conditionnement Chip-scale est utilisé pour les RDRAM et les mémoires flash.

Connecteur RIMM : Prise de mémoire Rambus.

Connecteur SIMM : Composante de la carte mère qui contient un module SIMM unique.

Continuity RIMM (C-RIMM) : Module mémoire Direct Rambus ne contenant pas de puces mémoire.
C-RIMM fournit un canal continu au signal. Dans un système Direct Rambus, les connecteurs ouverts doivent être équipés de C-RIMM.

CPU (Central Processing Unit -unité centrale) -Puce de la machine qui a pour tâche principale d'interpréter les commandes et de faire tourner les programmes. La CPU est appelée processeur ou microprocesseur.

Cycle de bus : Transaction unique entre la mémoire principal et la CPU.

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D
DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory) : Dernière génération de la technologie SDRAM. La lecture des données s'effectue sur la partie montante comme sur la partie descendante de l'horloge de l'ordinateur, soit avec une bande passante double de celle d'une SDRAM standard. Avec la DDR SDRAM, la vitesse de la mémoire double, sans augmentation de la fréquence d'horloge.

Détection de présence sérielle : Puce EEPROM qui contient des informations concernant la taille et la vitesse ainsi que d'autres spécifications et info~ations de module mémoire du fabricant.

DIMM (Dual In-Iine Memory Module) :Carte imprimée avec contacts en or et modules de mémoire. La DIMM est semblable à la SIMM, avec la principale différences uivante: alors que, sur la SIMM, les broches situées à l'opposé de la carte, sont "liées" pour former un seul contact électrique, sur la DIMM, les broches opposées demeurent électriquement isolées.

DIP (Dual In-line Package) : Boîtier de DRAM à double rangée de connexions. Les DIP peuvent être installées sur des connecteurs ou soudées de manière définitive dans les trous d'une carte imprimée. Le boîtier DIP était extrêmement répandu lorsque la mémoire était installée directement sur la carte mère.

Direct Rambus : Technologie Rambus de troisième génération présentant un architecture DRAM entièrement nouvelle, pour PC hautes performances. Le transfert de donnés à lieu à 800 MHz sur un canal 16 bits, à comparer à la SDRAM courante qui fonctionne à 100 MHz sur un bus à 64 bits.

Dissipateur thermique : Film, généralement en aluminium, qui recouvre un composant électrique et en dissipe la chaleur.

Double banc : Module mémoire doté de deux bancs.

DRAM (Dynamic Random-Access Memory) -Mémoire RAM dynamique, forme la plus commune de ce type de mémoire. La DRAM conserve les données pendant un intervalle de temps court. Pour cela, elle doit être périodiquement rafraîchie. Si la cellule n'est pas réactivée, les données sont effacées.

Dual Independent Bus (DIB) : Architecture de bus, développée par Intel, offrant une bande passante supérieure grâce à deux bus séparés (frontside et backside) d'accès au processeur. Les ordinateurs Pentium II sont équipés de DIB.

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E
EDO (Extended Data-Out) : Technologie de DRAM qui raccourcit le cycle de lecture entre la mémoire et la CPU. Sur les ordinateurs qui la supportent, la mémoire EDO permet à la CPU d'accéder à la mémoire à une vitesse 10 à 20 pour cent plus rapide que les mémoires comparables en mode fast-page.

ECC (Error Correction Code) : voir Code de correction d'erreur

EDRAM (Enhanced DRAM) : DRAM d'Enhanced Memory Systems, Inc. qui contient une petite quantité de SRAM.

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, mémoire morte effaçable électriquement) : Puce mémoire qui conserve les données une fois que l'alimentation électrique à été coupée. L'EEPROM peut être effacée et reprogrammée à l'intérieur ou à l'extérieur de l'ordinateur.

EISA (Extended ISA): Architecture de bus qui fait passer à 32 bits le bus ISA 16 bits.EISA fonctionne à 8 MHz et transmet les données à 33 Mo par seconde au maximum. EISA a été proposé en 1988 comme alternative ouverte au Micro Channel bus propriétaire d'IBM.

Entrelacement : Technique servant à augmenter la vitesse de la mémoire. Par exemple, lorsque l'on dispose de bancs de mémoire séparés pour les adresses impaires et paires, il peut y avoir un accès à l'octet de mémoire suivant durant le rafraîchissement de l'octet actuel.

EOS (ECC on SIMM) : Technologie de contrôle de l'intégrité des données, développée par IBM, qui effectue un contrôle ECC sur une SIMM.

EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) : Mémoire morte programmable et réutilisable, qui conserve les données jusqu'à ce qu'elles soient effacées par une lumière ultraviolette. Un équipement spécial est nécessaire pour effacer et reprogrammer les EPROM.

ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM) : Type de SDRAM développée par Enhanced Memory Systems, Inc. L'ESDRAM remplace la SRAM, plus coûteuse, dans les systèmes intégrés et offre des vitesses comparables avec une consommation électrique inférieure et à un coût moindre.

Etat d'attente : Période d'inaction pour le processeur. Les états d'attente résultent de la différence entre vitesses d'horloge du processeur et de la mémoire, cette dernière étant généralement plus lente.

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F
Facteur de forme : Taille, configuration et autres spécifications pour décrire un matériel. Exemples de facteurs de forme pour les mémoires: SIMM, DIMM, RIMM, 30 broches, 72 broches et 168 broches.

Fast-Cycle RAM (FCRAM) : La FCRAM est une technologie de mémoire, actuellement développée par Toshiba et Fujitsu. La FCRAM n'est pas destinée à la mémoire principale du PC, mais sera utilisée pour les applications spéciales, comme les serveurs évolués, les imprimantes et les systèmes de commutation dédiés aux télécommunications.

Fast-Page Mode : Forme ancienne de DRAM; l'avantage du mode fast-page par rapport aux précédentes technologies en mode page est un accès plus rapide aux données se trouvant dans la même rangée.

Flash Memory : Mémoire à semi-conducteurs, non volatile, réinscriptible, qui fonctionne comme la combinaison d'une RAM et d'un disque dur. La mémoire flash est durable, consomme peu et conserve les données une fois l'alimentation électrique coupée. Les cartes mémoire flash sont utilisées dans les caméras numériques, les téléphones cellulaires, les imprimantes, les ordinateurs portables, les pagers et les dispositifs d'enregistrement audio. Voir la liste complète des "Flash Memory"

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G
Gigabit : Environ un milliard de bits ou exactement 1 bit x 230 (1 073 741 824 bits).

Gigaoctet : Environ un milliard d'octets ou exactement 1 octet x 230 (1 073 741 824 octets).

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J
JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) : Association américaine de fabricants d'électronique (ElA) chargée de la mise en ocuvre des normes en matière de semi- conducteurs.

Jeu de puces (chipset) : Micropuces qui secondent la CPU dans ses tâches. Le chipset contient normalement plusieurs contrôleurs qui définissent comment s'organisent les échanges d'information entre le processeur et les autres unités.

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K
Kilobit : Environ, un millier de bits ou exactement 1bit x 210 (1 024) bits.

Kilo-octet : Environ un millier d'octets, ou exactement 1 octet x 210 (1 024) octet.

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L
Latence CAS : Rapport entre le temps d'accès de colonne et le temps de cycle d'horloge. La latence CAS 2 ( CL2) offre une légère augmentation de performance par rapport à la latence CAS 3 (CL3).

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M
Mégabit : Environ un million de bits, ou exactement 1 bit x 1020 (1 048 576) bits.

Méga-octet : Environ un million d'octets, ou exactement 1 octet x 1020 (1 048 576) octets.

Mémoire : Mémoire de micro-ordinateur à accès aléatoire. La mémoire vive conserve
temporairement les données et instructions de la CPU. Voir RAM.

Mémoire à registres : Mémoire RAM dynamique synchrone qui contient directement des registres sur le module. Les registres reconduisent les signaux via les puces, ce qui permet d'équiper le module d'un nombre plus élevé de puces. Il ne faut pas mélanger les mémoires à registres les mémoires sans tampon.
La conception du contrôleur de mémoire impose le type de mémoire dont a besoin le micro-ordinateur.

Mémoire avec tampon : Module de mémoire qui contient des tampons. Les tampons réacheminent les signaux à travers les puces mémoire et permettent au module d'intégrer un nombre supérieur de puces. Il n'est pas possible de mélanger les mémoires avec tampon et sans tampon. La conception du contrôleur de mémoire de l'ordinateur indique si la mémoire doit être ou non dotée d'un tampon.

Mémoire cache : Mémoire très rapide, de petite taille (normalement inférieure à l Mo) implantée sur la CPU ou à proximité immédiate. La mémoire cache fournit au processeur les données et instructions les plus fréquemment utilisées. Le cache de niveau l (cache primaire) est le plus proche du processeur; le cache de niveau 2 (cache secondaire) est généralement monté sur la carte mère.

Mémoire Credit Card : Type de mémoire équipant spécialement les portables et les notebooks. La mémoire Credit Card est de la taille d'une carte de crédit.

Mémoire du canal virtuel (VCM) : VCM est une architecture mémoire développée par NEC. La VCM autorise différents blocs de mémoire, chacun avec son propre tampon, pour un interfaçage individuel avec le contrôleur. C'est ainsi que les tâches systèmes sont affectées à leurs propres canaux virtuels.
L'information apparentée à une fonction ne partage pas l'espace tampon avec les autres tâches tournant simultanément; pour cette raison les opérations sont en général réalisées avec plus d'efficacité.

Mémoire Flash : Voir "Flash Memory".

Mémoire morte : Unité de stockage des données semblable à un disque dur ou à un cédérom.

Mémoire non tamponnée : Mémoire qui ne contient pas de tampons ou de registres sur le module. Au lieu de cela, ces périphériques sont logés sur la carte mère.

Mémoire propriétaire : Personnalisation de la mémoire pour un micro-ordinateur spécifique.

Mémoire vidéo à accès aléatoire : Windows Ram (WRAM) : Mémoire de Samsung Electronic à deux ports de données séparés (dual-ported), typique sur une carte vidéo ou graphique. La WRAM a une bande passante de 25% plus élevée que celle de la VRAM, tout en étant moins chère.

Mémoire virtuelle / Mémoire simultanée : Lorsque la RAM est pleine, le micro-ordinateur permute les données sur le disque dur et inversement sur la RAM dès que nécessaire. Voir Permutation.

Micro BGA -Tessera, Inc. BGA : technologie d'encapsulation des puces qui se traduit par une miniaturisation du boîtier, l'accélération de la dissipation de chaleur et des densités d'implantation plus élevées des modules.

Mode rafale : Transmission à vitesse élevée d'un bloc de données (série d'adresses consécutives) lorsque le processeur demande une seule adresse.

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N
Nanoseconde (ns) : Un milliardième de seconde. Les temps d'accès aux données de la mémoire se mesurent en nanosecondes. Par exemple, les temps d'accès mémoire des modules SIMM typiques à 30 et 72 contacts sont compris entre 60 et 100 nanosecondes.

Nibble : Moitié d'un octet de 8 bits ou groupe de 4 bits.

Non composite : Terme de la société Apple Computer, Inc. pour désigner un module mémoire utilisant une nouvelle technologie et contenant moins de puces mais d'une densité élevée. Les modules non composites sont plus fiables et plus onéreux que les composites.

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O
Octet : Huit bits d'information. L'octet est l'unité fondamentale du traitement dans un ordinateur; la plupart des spécifications et mesures de performances d'une machine sont exprimées en octets ou en multiples de cette unité. Voir kilo-octets et méga-octets.

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P
Parité : Contrôle de l'intégrité des données où l'on ajoute un bit de parité à chaque octet de données.
Ce bit est utilisé pour détecter des erreurs dans les 8 autres bits.

Parité impaire : Contrôle d'intégrité des données par lequel le bit de parité recherche un nombre impair de 1.

Parité paire: Type de contrôle de l'intégrité des données où le bit de parité vérifie s'il existe un nombre pair de 1.

PC Card (PCMCIA: Personal Computer Memory Card International Association) : Sigle désignant l'association d'entreprises dont le but est de promouvoir une nouvelle norme pour les périphériques de type PC card et leurs connecteurs), une norme qui permet l'interchangeabilité de différents composants de traitement sur le même connecteur. La norme PCMCIA supporte des équipements d'entrée-sortie, fax/modem, port SCSI et produits de mise en réseau.

PCI (Peripheral Component Interconnect -Spécification Intel de bus local) : Bus local capable d'envoyer simultanément des données de 32 bits ou 64 bits. Le PCI autorise le plug and play.

Permutation : Procédé permet d'utiliser une partie du disque dur comme mémoire lorsque la RAM est pleine. Voir Mémoire virtuelle.

Pipeline : voir procédé Pipeline.

Port d'accès accéléré (AGP -Accelerated Graphics Port) : Interface développée par Intel pour le traitement rapide des graphiques. Les données circulent directement entre le contrôleur graphique du PC et la mémoire, au lieu de transiter par la mémoire vidéo.

Procédé Pipeline : Technique où une mémoire charge le contenu de la mémoire sollicitée dans un petit cache composé de RAM statiques puis extrait ensuite les données de l'adresse suivante. Le procédé pipeline comprend donc deux étapes: lors de la première étape, les données sont extraites des RAM statiques ou y sont écrites, tandis que lors de la seconde, les données sont extraites ou écrites dans la mémoire.

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R
Radiateur : Elément en général en alliage de zinc, qui évacue la chaleur. Une CPU doit être équipée de radiateurs.

RAM (Random-Access Memory) : Configuration de cellules mémoire contenant les données en vue du traitement par la CPU. Autrement dit la CPU peut retrouver des données à partir d'une adresse quelconque à l'intérieur de la RAM. Voir également mémoire.

RAM statique (SRAM) : Puce mémoire qui exige de l'énergie pour sauvegarder son contenu. La SRAM est plus rapide que la DRAM, mais plus chère et plus encombrante. La SRAM trouve une utilisation typique en tant que mémoire cache.

Rambus La société Rambus, Inc. développe et octroie des licences pour les technologies de conception de circuits et de mémoires hautement performants et fournit des informations concernant la conception, la configuration et le test de produits.

Rambus Direct : Technologie de mémoire à vitesse d'accès élevée qui utilise un bus étroit de 16 bits (canal Rambus) pour transmettre des données à des vitesses de 800 MHz, maximum. Voir canal Rambus.

RAS : Signal de puce mémoire qui verrouille l'adresse de ligne d'un point particulier dans une matrice de colonnes-lignes.

Régénérer : Procédé permettant de conserver les données mémorisées dans une RAM dynamique. Le procédé de régénération des cellules électriques d'un composant DRAM est similaire à celui de recharge des batteries. Divers composants DRAM requièrent différentes méthodes de rafraîchissement.

RIMMTM : Marque déposée d'un modul~!mémoireRambus direct. Module RIMMTM en conformité avec le facteur de forme de IaDIMM et qui transfère 16 bits de données par cycle.

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S
Schéma de banc : Méthode pour établir un diagramme des configurations de mémoire. Le schéma de banc comprend des rangées et/ou colonnes représentant les connecteurs de mémoire sur la carte d'un ordinateur. Les rangées correspondent à des connecteurs indépendants, les colonnes à des bancs.

SDRAM (DRAM synchrone) -Technologie DRAM qui utilise une horloge afin de synchroniser l'entrée et la sortie des signaux sur une puce mémoire. L'horloge de la mémoire est coordonnée par celle de la CPU de sorte que la synchronisation est assurée entre les puces mémoire et la CPU. Une DRAM synchrone stocke le temps relatif aux instructions d'exécution et aux données de transmission, ce qui se traduit par une augmentation de l'ensemble des performances du micro-ordinateur.
Par rapport à une mémoire EDO, la DRAM synchrone accélère de 25%, environ la vitesse d'accès de la CPU à la mémoire.

SGRAM (Synchronous Graphics Random-Access Memory -Mémoire graphique synchrone à accès aléatoire) : Mémoire dédiée vidéo qui intègre des fonctions de lecture/écriture, spécifiques aux applications graphiques. La SGRAM permet de régénérer et modifier les données en bloc et non pas individuellement. Le groupement en bloc réduit le nombre de lectures et d'écritures à exécuter et augmente les performances du contrôleur graphique.

SIMM (Single In-Iine Memory Module -Module mémoire à connexion simple) : Carte à circuit imprimé équipée de modules mémoire et de contact en or ou en étain. Un module SIMM s'enfiche dans un connecteur d'extension de mémoire, Les modules SIMM offrent deux avantages essentiels: il sont faciles à installer et sont compacts. Un module SIMM monté verticalement sur la plaque ne requiert qu'une fraction de l'espace par rapport à une DRAM montée horizontalement. Le nombre de broches d'un module SIMM est compris entre 30 et 200. Sur un module SIMM, les conducteurs en métal montés de chaque côté sont reliés électriquement entre èux.

SLDRAM (Synclink -Lien synchrone) : -Quoique dépassée aujourd'hui, la SLDRAM fut une technologie de mémoire majeure développée par un consortium de 12 fabricants de DRAM en guise de variante à la technologie du Rambus direct.

SO DIMM (Small-Outline Dual In-Iine Memory Module -Module mémoire petit format à double rangée de connexions) -Version améliorée d'une DIMM standard. A nombre égal de broches, soit 72, un module DIMM est moitié moins long qu'un module SIMM.

SOJ (Small-Outline J-Iead) : Forme courante d'encapsulation pour mémoire DRAM montée en surface.
Le SOJ est un boîtier rectangulaire muni de conducteurs en forme de l disposés sur les côtés.

SO-RIMM™ : Marque déposée d'une mémoire Rambus directe intégrée dans les ordinateurs portables.
Les modules SO-RIMM™ fournissent une capacité mémoire comparable à celle des configurations mémoire de bureau.

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T
Tampon : Zone de sauvegarde des données partagées entre plusieurs unités opérant avec des vitesses ou des priorités différentes. Un tampon permet à un élément de fonctionner sans les temporisations imposées avec les autres systèmes.

Technologie des lignes de transmission : Technologie qui supporte le bus arrière dans les systèmes de Rambus directs. Grâce au procédé pipeline, l'information est rapidement traitée sous forme de paquets simultanés. Le contrôleur de la mémoire réassemble les paquets en vue de leur transfert vers le processeur, via le bus frontal.

Temps d'accès : Temps moyen (en nanosecondes) nécessaire à une RAM pour effectuer un accès. Le temps d'accès est subdivisé en temps d'établissement de l'adresse et latence (temps nécessaire pour lancer une demande de données et préparer l'accès).

TSOP (rhin Small-Outline Package -Boîtier mince de petit format) : Boîtier DRAM, équipé des deux côtés de broches recourbées. La TSOP DRAM se monte directement sur la surface de la carte à circuit imprimé. Le boîtier TSOP représente un tiers de l'épaisseur du SOl. Les composants SOP se rencontrent généralement sur des boîtiers DIMM de petit format et des puces de carte de paiement.

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V
Vitesse de régénération : Nombre de lignes de composants DRAM devant être régénérés. On dispose de trois vitesses de régénération: 2K, 4K et 8K.

VRAM (Video Random-Access Memory:- MémDire vidéo à accès aléatoire) : Mémoire à deux ports de données séparés (Dual-ported), typique sur une carte vidéo ou graphique. Un port est dédié au tube à rayon cathodique CRT et rafraîchit et actualise l'image. Le second port est réservé à la CPU ou au contrôleur graphique et actualise les données dans la mémoire.

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